隨著Qi2.0標(biāo)準(zhǔn)的推出,通用充電功率提高至15W,無(wú)線充電市場(chǎng)再次迎來(lái)熱潮,今年將會(huì)有更多Qi2.0產(chǎn)品上市,使無(wú)線充電速度更快、效率更高、便利性更強(qiáng)。
繼采用美芯晟MT5805的MPP模組(點(diǎn)擊藍(lán)字查看)獲認(rèn)證后,美芯晟無(wú)線充電芯片MT581X MPP無(wú)線充電模組再獲Qi2.0認(rèn)證,其Qi認(rèn)證ID為14844,Qi無(wú)線充電功率等級(jí)為15W。
MT581X MPP 磁吸無(wú)線充電模組是一款符合 WPC Qi2.0 MPP 協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線充電發(fā)射端,支持BPP 5W 和 MPP 15W ,支持定制協(xié)議。
美芯晟無(wú)線充電發(fā)射芯片MT581X 集成USB-PD、QC2.0/3.0等快充協(xié)議,支持高達(dá)100W輸出功率,符合Qi2.0標(biāo)準(zhǔn),支持定制協(xié)議。MT581X采用ARM M0 處理器,擁有卓越的高效率和緊湊設(shè)計(jì),提供強(qiáng)大、自主的二次開(kāi)發(fā)空間。
輸入電壓范圍:3.8V~24V,支持高達(dá)100W輸出功率 采用ARM M0處理器,內(nèi)置4K SRAM 和 64KB FLASH 集成USB-PD協(xié)議和QC2.0/3.0,SCP,F(xiàn)CP等協(xié)議 符合Qi2.0 (EPP15W,MPP15W),支持定制協(xié)議
集成3對(duì)N_MOS驅(qū)動(dòng) 集成高壓降壓模塊,在高壓輸入時(shí)降低發(fā)射端功耗 集成3.3V LDO和5V LDO,對(duì)內(nèi)部和I/O供電 雙VDD_IO引腳,支持多種I/O電平 16通道專用DSP,電壓和電流模式解調(diào) 集成多種保護(hù)功能:過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)和輸入欠壓保護(hù)
MT581X可延展性強(qiáng),配置定制化,采用高集成嵌入式SoC架構(gòu)及靈活接口設(shè)計(jì),適用于各種低成本、低功耗應(yīng)用,可廣泛應(yīng)用于為5G智能終端、智能可穿戴設(shè)備、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、智能家電進(jìn)行無(wú)線充電的設(shè)備。
2024年將會(huì)有更多采用Qi 2.0標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線充電產(chǎn)品上市,美芯晟努力為廣大客戶提供全面的無(wú)線充電芯片解決方案。
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